早前已经有消息透露，长江存储主导的国产 3D NAND 闪存已经开始安装光刻机等生产设备，预计今年下半年开始量产。与 NAND 闪存相比，国内 DRAM 内存的生产难度会更大一些。
在 2017 年 10 月时，兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，也即是合肥长鑫的 DRAM 项目，目标是研发 19nm 工艺的 DRAM 内存，原定将在2018 年 12 月 31 日前研发成功，实现产品良率不低于 10%，并尽快试片量产。
目前，行业内主流工艺刚刚突破 20nm 稳定量产不久，只有三星主力制程达到了 18nm 工艺，因此合肥长鑫的 19nm 在市场上仍然具备不错的竞争力，目前唯一需要解决的问题就剩下了 DRAM 内存芯片良率的问题。
在成功达到预期目标量产后，月产能达到 12.5 万片晶圆，占全球市场产能的 8% ，国产内存进入量产后，内存价格有望得到进一步的降低。
